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ADI: Treiber für GaN-FETs
100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter
Gate-Treiber
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Infineon: zweikanalige 160V-Gate-Treiber-ICs für leichte BEVs
Die vier Treiber sind für batteriebetriebene Anwendungen mit Batterien bis zu 120 V ausgelegt.
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Rohm: Schneller Gate-Treiber für GaN-Bauelemente
Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen.
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TI: Verstärkt isolierter Gate-Treiber mit in Echtzeit einstellbarer Ansteuerungsstärke
Der Baustein UCC5880-Q1 von Texas Instruments ist ein einkanaliger, isolierter Gate-Treiber für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs und IGBTs mit hoher Leistung.
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Renesas: Gatetreiber-IC für 1.200V-IGBTs und SiC-MOSFETs
Der RAJ2930004AGM ist mit einem Isolator mit 3,75 kVrms ausgestattet und kann Leistungshalbleiter mit einer Spannungsfestigkeit von bis zu 1,200 V unterstützen. Zudem bietet der neue Treiber-IC im SOIC16-Gehäuse eine CMTI-Leistung von mindestens 150 V/ns.