Renesas: Gatetreiber-IC für 1.200V-IGBTs und SiC-MOSFETs

Der RAJ2930004AGM ist mit einem Isolator mit 3,75 kVrms ausgestattet (Vorgängergeneration: 2,5 kVrms) und kann jetzt Leistungshalbleiter mit einer Spannungsfestigkeit von bis zu 1,200 V unterstützen. Darüber hinaus bietet der neue Gatetreiber im SOIC16-Gehäuse eine CMTI-Leistung (Common Mode Transient Immunity) von mindestens 150 V/ns. Dies sorgt für eine zuverlässige Kommunikation und erhöhte Störfestigkeit, während gleichzeitig die in Wechselrichtersystemen erforderlichen hohen Spannungen und schnellen Schaltgeschwindigkeiten abgedeckt werden. (jr)

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