Technologie-Radar
Extrem breitbandiger verteilter Verstärker-Chip
Forschende des Fraunhofer IAF haben einen extrem breitbandigen verteilten Verstärker-Chip auf entwickelt, der zwischen 4 und 420 GHz eine Verstärkung von 11 ± 2 dB erreicht.
Fraunhofer IAF
Technologie-Radar
GaN-basiertes 800-V-Ladesystem für bidirektionales Laden
Das im Projekt GaN4EmoBiL entwickelte System unterstützt bidirektionales Laden mit bis zu 3 kW und richtet sich an Anwendungen in der Elektromobilität und Energietechnik.
Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
Technologie-Radar
Neues Halbleitermaterial Aluminiumyttriumnitrid für energieeffizientere Elektronik
Aufgrund seiner Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an GaN kann AlYN zu deutlich energieeffizienteren Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik führen.