Technologie-Radar
Bidirektionaler 1200-V-GaN-Schalter mit integrierten Freilauf-Dioden
Fraunhofer IAF hat im Rahmen des Projekts GaN4EmoBiL einen 1.200-V-Halbleiterschalter auf Basis seines neue GaN-on-Insulator-Prozesses gefertigt.
Fraunhofer IAF
Technologie-Radar
Neues Halbleitermaterial Aluminiumyttriumnitrid für energieeffizientere Elektronik
Aufgrund seiner Materialeigenschaften und seiner Anpassungsfähigkeit an GaN kann AlYN zu deutlich energieeffizienteren Hochfrequenz- und Hochleistungselektronik führen.