X-FAB Silicon Foundries bietet jetzt für Bildsensoren, die mit XS018 180nm CMOS-Halbleiterprozess gefertigt werden, auch eine Rückseitenbeleuchtung (Back-Side Illumination, BSI) an. Das bedeutet, dass die Metallschichten des Back-End-Prozesses das einfallende Licht nicht daran hindern, die Pixel zu erreichen, was den Füllfaktor um bis zu 100 % erhöht. Dies ist in Situationen mit schwacher Beleuchtung von großem Vorteil, da eine höhere Lichtempfindlichkeit der Pixel erreicht werden kann. BSI bietet auch den zusätzlichen Vorteil, dass das Übersprechen zwischen benachbarten Pixeln aufgrund kürzerer Lichtwege erheblich reduziert wird, was zu einer besseren Bildqualität führt. Obwohl BSI-Lösungen mit kleinen Pixeln für 300-mm-Wafer, die in großen Stückzahlen im Consumer-Bereich eingesetzt werden, gang und gäbe sind, gibt es nur sehr wenige Optionen für Bildsensoren mit Stiched-Large-Pixel-Anordnungen für 200-mm-Wafer, insbesondere wenn zusätzliche Anpassungen gewünscht werden. Die neuen Bildsensoren mit Rückseitenbeleuchtung sind insbeonsdere auch für Hersteller von Fahrzeugfrontkameras interessant.
Auf Basis der XS018-Plattform, die hohe Auslesegeschwindigkeiten und niedrige Dunkelströme aufweist, werden Bildsensoren mit mehreren Epi-Optionen hergestellt. Es kann eine ARC-Schicht hinzugefügt werden, die dann auf die jeweiligen Kundenanforderungen abgestimmt wird. Das begleitende X-FAB-Support-Paket deckt einen vollständigen Arbeitsablauf vom ersten Entwurf bis zum Versand von technischen Mustern ab und enthält ein umfassendes PDK.
