VisIC Technologies und AVL wollen gemeinsam Automobil-OEMs mit Leistungshalbleitern versorgen, die die Leistung von Siliziumkarbid (SiC) übertreffen und gleichzeitig für niedrigere Kosten sowohl auf Komponenten- als auch auf Systemebene sorgen.
Laut Unternehmensangaben konnte mit einem Wechselrichter-Prüfaufbau in einer AVL-Testeinrichtung in Deutschland die besondere Effizienz der GaN-on-Silicon-FETs D³GaN von VisIC gezeigt werden. Der Wechselrichter, installiert auf einem Elektromotorenprüfstand und gesteuert durch AVLs präzisen SOP-eDrive-Regelungsalgorithmus, erreichte bei einer Schaltfrequenz von 10 kHz einen Benchmark-Wirkungsgrad von 99,67 %. Dieser Wert stieg bei 5 kHz sogar auf über 99,8 %, womit die Technologie vergleichbare SiC-Wechselrichter um bis zu 0,5 % übertrifft und die Energieverluste um mehr als 60 % reduziert.
Darüber hinaus erfordert die Produktion der GaN-on-Silicon-Leistungshalbleiter deutlich weniger Energie als die von SiC-Komponenten. Zudem können sie in den weit verbreiteten 200-mm- und 300-mm-Silizium-Halbleiterfabriken hergestellt werden, was die Skalierbarkeit der Produktion erheblich erleichtert.
AVL und VisIC planen, ihre GaN-on-Si-Plattform um 800-V-GaN-Leistungsmodule zu erweitern, um sicherzustellen, dass ihre Technik skalierbar bleibt und an die Bedürfnisse des wachsenden BEV-Marktes angepasst werden kann. (jr)
