Das Fotorelais TLX9161T von Toshiba im SO12L-T-Gehäuse erreicht eine Ausgangsspannungsfestigkeit (VOFF) von 1.500 V (min.) bei einer Reaktionszeit (TON/TOFF) von 1 ms (max.).
Das TLX9161T besteht aus einer Infrarot-emittierenden Diode (LED), die optisch mit einem Foto-MOSFET gekoppelt ist, sodass Primärseite und Sekundärseite elektrisch isoliert sind. Die hohe Isolationsspannung von 5.000 Veff ermöglicht eine sichere Schaltsteuerung über unterschiedliche Potenziale hinweg. Der Auslösestrom (IFT) beträgt 3 mA (max.), wodurch der Energieverbrauch des Systems minimiert wird. Darüber hinaus beträgt der Ausschaltstrom (IOFF) des Bauteils bei Umgebungstemperatur nur 100 nA (max.), sodass es im inaktiven Zustand nur minimal Strom verbraucht. Der Durchlassstrom der IR-LED (IF) und der Einschaltstrom des Detektorelements (ION) sind beide für 30 mA bei Umgebungstemperatur ausgelegt.
Durch die Verkleinerung des integrierten MOSFET-Chips konnte Toshiba das Fotorelais in einem SO12L-T-Gehäuse unterbringen. Mit Abmessungen von 7,76 × 10,0 × 2,45 mm³ ist dieses Gehäuse etwa 25 % kleiner als das SO16L-T-Gehäuse des Vorgängermodells TLX9160T. Trotz des kleineren Gehäuses weist das TLX9161T den gleichen Pin-Abstand und die gleiche Pin-Anordnung wie das SO16L-T auf.
Für das Fotorelais verwendet Toshiba ein Kunststoffmaterial mit einem CTI-Wert (Comparative Tracking Index) von über 600. Somit gehört es gemäß der internationalen Norm IEC 60664-1 zur Materialgruppe I. Das als Schließer konfigurierte (1-Form-A) Bauteil weist Kriech- und Luftstrecken von mindestens 8 mm auf. Somit ist auch bei Betriebstemperaturen von -40 bis +125 °C eine wirksame Isolierung sichergestellt und es entspricht vollständig der Norm AEC-Q101, Grad 1. (jr)
