Die Schottky-Barrier-Diode (SBD) RBE01VYM6AFH hat Rohm für den Schutz von hochauflösenden Bildsensoren entwickelt. Durch den Einsatz einer proprietären Architektur ist es dem Unternehmen gelungen, einen niedrigem Sperrstrom IR zu erreichen – ein Wert, der bei Designs mit niedriger Durchlassspannung VF normalerweise nur schwer zu realisieren ist. Mit einem VF von weniger als 300 mV (bei IF = 7,5 mA, selbst bei Ta = –40 °C) und einem IR von weniger als 20 mA (bei VR = 3 V, selbst bei Ta = 125 °C) erfüllt das Bauelement auch unter rauen Umgebungsbedingungen die Anwendungsanforderungen. Diese Eigenschaften verhindern nicht nur Schäden an der Schaltung durch hohe Photovoltaik-Spannungen, die bei ausgeschaltetem Zustand unter Lichtexposition in hochauflösenden Bildsensoren entstehen können, sondern verringern auch das Risiko von thermischem Durchgehen und Fehlfunktionen während des Betriebs erheblich.
Die AEC-Q101-qualifizierte Diode ist in einem kompakten SOD-323HE-Gehäuse (2,5 × 1,4 mm2) mit flachen Anschlüssen untergebracht
In Zukunft wird ROHM sein Sortiment um noch kleinere Gehäuse erweitern, um den anhaltenden Anforderungen an die Miniaturisierung gerecht zu werden. (jr)
