Rohm hat einen neuen 650-V-GaN-HEMT (GNP2070TD-Z) im TOLL-Gehäuse (TO-LeadLess) entwickelt. Dieses kompakte Gehäuse bietet eine sehr gute Wärmeableitung, hohe Stromkapazität und eine optimierte Schaltleistung. Die neuen Bauelemente nutzen die weiterentwickelte GaN-on-Si-Technologie und zeichnen sich durch besonders geringe Energieverluste aus. Sie kombinieren einen niedrigen Einschaltwiderstand mit einer optimierten Ausgangsladung (RDS(on) × Qoss), was die Effizienz und Leistungsfähigkeit deutlich verbessert. Dies führt zu einer weiteren Miniaturisierung und Effizienzsteigerung in leistungsintensiven Stromversorgungssystemen.
Die Massenproduktion basiert auf der proprietären Technologie von Rohm und dem Know-how aus dem vertikal integrierten Produktionssystem. Die Front-End-Fertigung übernimmt TSMC, während ATX für die Back-End-Prozesse verantwortlich ist. Zudem plant Rohm eine Partnerschaft mit ATX, um die Fertigung von GaN-Bauelementen in Automobilqualität weiter auszubauen. Die Produkte sind ab sofort bei DigiKey, Mouser und Farnell erhältlich. (oe)
