Laut Herstellerangaben zeichnen sich die neuen Superjunction-600V- bzw. 650V-MOSFETs der Serie STPOWER MDmesh DM9 AG von STMicroelectronics durch ihr Verhältnis zwischen RDS(on) und Chipfläche sowie durch eine minimale Gateladung aus und setzen demnach eine neue Bestmarke für die Figure of Merit. Verglichen mit der vorigen Generation weist die aktuelle MDmesh DM9 Technik eine reduzierte Streuung der Gate-Source-Schwellenspannung (Vgs(th)) auf, was wiederum für steilere Schaltflanken und geringere Ein- und Ausschaltverluste sorgt.
Das verbesserte Sperrverzögerungsverhalten der Body-Diode ist das Resultat eines neuen, optimierten Prozesses, der zusätzlich auch der allgemeinen Robustheit der MOSFETs zugutekommt. Die geringe Sperrverzögerungsladung (Qrr) und die kurze Sperrverzögerungszeit (trr) verleihen der Serie MDmesh DM9 eine ideale Eignung für phasenversetzt im Spannungs-Nulldurchgang schaltende Topologien, die nach größtmöglicher Effizienz verlangen.
Als erstes Produkt der neuen Serie STPOWER MDmesh DM9 AG kommt der STH60N099DM9-2AG, ein für 27 A ausgelegter, AEC-Q101-qualifizierter N-Kanal-Baustein mit 600 V Nennspannung im H2PAK-2-Gehäuse und mit einem typischen RDS(on)-Wert von 76 mΩ. ST wird die Familie zu einem kompletten Angebot ausbauen, das einen breiten Strombereich abdeckt und RDS(on)-Werte von 23 mΩ bis 150 mΩ aufweist. (jr)
