Die Module mit einer Spannungsfestigkeit von 750 V (BSTxxxD08P4A1x4) bzw. 1.200 V (BSTxxxD12P4A1x1) gehören zur SiC-Modulserie TRCDRIVE pack von Rohm. Die Gehäusetechnik wurde speziell für Traktionswechselrichter-Anwendungen bis zu 300 kW entwickelt. Dabei wurde die Wärmeableitfläche maximiert sowie SiC-MOSFETs der 4. Generation mit niedrigem Einschaltwiderstand verwendet, wodurch die Entwickler eine hohe Leistungsdichte erreichen konnte. Sie ist nach Angaben des Unternehmens 1,5 Mal höher als bei herkömmlichen SiC-Modulen. Darüber hinaus spielen Press-Fit-Kontakte eine entscheidende Rolle: Sie ersetzen die seitlichen Kontakte für die Steuersignale und sind auf die Moduloberseite gewandert. Dieser Aufbau ermöglicht zum einen das Aufstecken der Gate-Treiber-Platine von oben, was die Installationszeit verkürzt. Zum anderen reduziert sich der benötigte Platzbedarf auf der Platine um etwa 26%.
Durch die Maximierung des Strompfads und die Verwendung einer zweilagigen Bus-Bar-Struktur für die Hauptverdrahtung liegt die Induktivität bei nur 5,7 nH, was sich positiv auf die Schaltverlusten auswirkt.
Parallel zur Entwicklung der Module hat ROHM ein Massenproduktionssystem aufgebaut, das mit dem für diskrete Produkte vergleichbar ist. Es ermöglicht laut Rohm eine Steigerung der Produktionskapazität um das 30-fache im Vergleich zu herkömmlichen SiC-Gehäusemodulen. Die vorgestellten Module sind ab sofort in OEM-Stückzahlen verfügbar.
Bis März 2025 soll die Serie zwölf Varianten mit verschiedenen Gehäusegrößen (Small / Large) und Montagemustern (TIM: Wärmeableitblech / Ag-Sinter) umfassen. Darüber hinaus entwickelt Rohm ein 6-in-1-Produkt mit integriertem Kühlkörper. (jr)
