Der für 100 V ausgelegte Halbbrücken-GaN-Treiber von Analog Devices erleichtert die Implementierung von GaN-FETs und ermöglicht eine robuste Gate-Ansteuerung, hohe Schaltfrequenzen und einen höheren Systemwirkungsgrad. Der LT8418, der neben den high- und low-seitigen Treiberstufen auch die Treiberlogik und Schutzfunktionen enthält, kann in synchronen Halb- und Vollbrücken-Topologien sowie in Buck-, Boost- und Buck-Boost-Schaltungen eingesetzt werden. Der Baustein hält als Quelle und als Senke hohe Treiberströme mit einem Pull-up-Widerstand von 0,6 Ω und einem Pull-down-Widerstand von 0,2 Ω aus. Er kann damit die unterschiedlichsten GaN-FETs ansteuern. Integriert ist ebenfalls ein intelligenter Bootstrap-Schalter, um aus VCC mit minimaler Dropout-Spannung eine ausgewogene Bootstrap-Spannung zu erzeugen.
Der Baustein enthält geteilte Gate-Treiber zum Einstellen der Einschalt- und Abschalt-Geschwindigkeiten der GaN-FETs, um ein Schwingen zu unterdrücken und die EMV-Eigenschaften zu optimieren. Sämtliche Ein- und Ausgänge des Treibers befinden sich standardmäßig im Low-Status, damit ein ungewolltes Einschalten der GaN-FETs unterbunden wird. Die PWM-Eingänge INT und INB des LT8418 sind für eine präzise Ansteuerung unabhängig und TTL-kompatibel. Die Signallaufzeit ist mit 10 ns kurz und weist zwischen dem oberen und dem unteren Kanal eine Abweichung von höchstens 1,5 ns auf, wodurch sich der Treiber für Gleichspannungswandler mit hohen Schaltfrequenzen, Motortreiber und Klasse-D-Audioverstärker eignet. (jr)
