Die zehn bipolaren Leistungstransistoren (BJTs) von Nexperia im DFN2020D-3-Gehäuse sind mit 50 und 80 V Kollektor-Emitter-Spannung (VCEO) erhältlich, die Kollektorströme (IC) von 1 bis 3 A in NPN- und PNP-Polarität unterstützen.
| Gehäuse | DFN2020D-3 | |
| (SOT1061D) | ||
| Größe (mm) | 2 x 2 x 0,65 | |
| VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | |
| -50 | -3 | PBSS5350PAS-Q |
| -50 | -2 | PBSS5250PAS-Q |
| 50 | 3 | PBSS4350PAS-Q |
| 80 | 1 | BC56PAST-Q |
| 80 | 1 | BC56-10PAST-Q |
| 80 | 1 | BC56-16PAST-Q |
| -80 | -1 | BC53PAST-Q |
| -80 | -1 | BC53-10PAST-Q |
| -80 | -1 | BC53-16PAST-Q |
| -80 | -1 | BSR33PAS-Q |
Mit dem DFN2020D-3-Gehäuse lassen sich im Vergleich zu ihren bedrahteten Pendants erhebliche Platzeinsparungen auf der Leiterplatte erzielen. Im Vergleich zu SOT89 wird beispielsweise 80 % und im Vergleich zu SOT223 90 % des Platzes auf der Leiterplatte eingespart. Das DFN2020D-3-Gehäuse verfügt außerdem über seitlich benetzbare Flanken, die eine automatisierte optische Inspektion (AOI) der Lötstellen ermöglichen und so eine verbesserte Robustheit und Zuverlässigkeit gewährleisten. (jr)
