Die jetzt von Infineon und Rohm unterzeichnete Absichtserklärung zur Zusammenarbeit sieht vor, dass beide Unternehmen einander als zweite Bezugsquelle für bestimmte SiC-Leistungshalbleitergehäuse dienen.
Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt Rohm die Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der Gehäusetypen TOLT, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK. Die Plattform zeichnet sich unter anderem durch eine Standardgehäusehöhe von 2,3 mm aus.
Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem D-TO-247-Gehäuse von Rohm mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln. Damit erweitert Infineon sein kürzlich angekündigtes Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das DOT-247-Gehäuse bietet eine höhere Leistungsdichte und reduziert den Montageaufwand im Vergleich zu Standardeinzelgehäusen. Laut Herstellerangaben lässt sich durch die Struktur, die zwei TO-247-Gehäuse integriert, der Wärmewiderstand um etwa 15 Prozent und die Induktivität um 50 Prozent im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Das Resultat ist eine 2,3-fach höhere Leistungsdichte.
Die Partner planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und Galliumnitrid (GaN) auszuweiten. (jr)
