Der Fachbeitrag von Semiconductor Engineering behandelt die Grundlagen und Vorteile von integrierten Schaltungen auf GaN-Basis sowie die Hürden, die es auf dem langen Weg zu deren Kommerzialisierung zu bewältigen gilt. Darüber hinaus liefert die Autorin eine Zusammenfassung des aktuellen Forschungsstands. Sie kommt am Ende zu dem Resümee, dass der Übergang von einzelnen GaN-Bauelementen zu integrierten GaN-Schaltkreisen sowie von Labormustern zu kommerziellen Anwendungen unweigerlich Fragen nach der Zuverlässigkeit und dem Betriebsbereich in den Vordergrund rücken werde. Wegen des großen Potenzials dieser integrierten Schaltkreise in Elektrofahrzeug- und Stromversorgungsanwendungen könne aber mit einer Lösung der dabei auftauchenden Probleme gerechnet werden.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Entwurfs- und Verifikationsansatz für das Design von Leistungsmodulen
Der Siemens-Beitrag stellt wichtige Aspekte des Moduldesigns vor und wie Siemens-Tools dabei helfen können, mit weniger Prototypen auszukommen.
Branchen-News
Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes.
Technologie-Radar
GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C
Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können.