Der Betrag von Rohm stellt den Aufbau und das Prinzip der einfacheren Zweiflanken-Rechteckschaltung zur Ansteuerung von GaN-HEMT (High Electron Mobility Transistors) der komplexeren Einflanken-Resonanz-Schaltung gegenüber. Letztere bietet in der Regel eine bessere Leistung, erfordert aber mehrere Iterationen. (jr)
Link zum Fachbeitrag erschienen bei Elektronik Industrie
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