Wolfspeed Archive - AEEmobility

Wolfspeed: 12-inch-SiC-Wafer erfolgreich produziert

14. Januar 2026

Wolfspeed zeigt mit der Fertigung eines einkristallinen 300-mm-Siliziumkarbid-Wafers, dass SiC als strategisches Halbleitermaterial die nächste Stufe der Fertigungsreife erreicht hat.

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Wolfspeed: Neill Reynolds scheidet als EVP und CFO aus

2. Mai 2025

Reynolds wird bis zum 30. Mai in seiner Funktion bleiben, um die laufenden Verhandlungen mit den Kreditgebern zu koordinieren.

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Wolfspeed: New CEO from May 2025

31. März 2025

Robert Feurle succeeds Thomas Werner, who is currently acting as Interim Executive Chairman.

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Wolfspeed: Neuer CEO ab Mai 2025

28. März 2025

Robert Feurle tritt die Nachfolge von Thomas Werner an, der derzeit als Interims-Executive Chairman fungiert.

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Wolfspeed sucht neuen CEO

18. November 2024

Wolfspeed hat mit Gregg Lowe vereinbart, dass er noch in diesem Monat von seinen Aufgaben als Präsident und Chief Executive Officer von Wolfspeed zurücktreten wird.

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Wolfspeed: Geldzufluss in Milliardenhöhe erwartet

17. Oktober 2024

Hersteller von SiC-Halbleitern will mit dem frischen Kapital die Rentabilität schneller erreichen und gleichzeitig in die nächste Technologiegeneration investieren.

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Infineon: Erweitertes Lieferabkommen mit Wolfspeed über 150mm-SiC-Wafer

24. Januar 2024

Infineon und Wolfspeed erweitern und verlängern mehrjähriges Lieferabkommen von 150-mm-Wafern aus Siliziumkarbid.

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Wolfspeed und ZF: Neues Forschungszentrum für SiC-Technologie in Bayern

3. Mai 2023

ZF und Wolfspeed werden ein gemeinsames europäisches Forschungs- und Entwicklungszentrum für Siliziumkarbid-Leistungselektronik in der Metropolregion Nürnberg gründen.

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Wolfspeed und ZF: Gemeinsames Forschungs- und Entwicklungszentrum für SiC

1. Februar 2023

Wolfspeed und ZF gründen ein Innovationszentrum für die Entwicklung von Siliziumkarbid-Halbleitern.

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Fachbeitrag: Optimizing Drive-Cycle Simulations for Automotive Applications

8. Januar 2023

Der bei Power Systems Design erschienene Beitrag von Wolfspeed befasst sich mit der Simulation von SiC-Power-Modulen und darauf aufbauenden Systemen sowie den dabei genutzten Werkzeugen.

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