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Rohm: Referenzdesigns für SiC-Wechselrichter
ROHM hat drei Referenzdesigns für Dreiphasen-Wechselrichter auf Basis von SiC-Leistungsmodulen und Ausgangsleistungen der 300-kW-Klasse vorgestellt.
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Rohm und Toshiba prüfen Fusion ihrer Power-Halbleitergeschäfte
Die japanischen Elektronikunternehmen Rohm und Toshiba erwägen eine engere Integration ihrer Power-Halbleiteraktivitäten.
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Denso prüft Übernahme von Rohm Semiconductor
Denso prüft eine Übernahme des Halbleiterherstellers Rohm Semiconductor. Der mögliche Deal könnte rund 8,3 Milliarden US-Dollar erreichen und würde Densos Position bei Leistungshalbleitern für Elektrofahrzeuge stärken.
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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
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Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom
Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.
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Rohm: Metall-Shunt-Widerstände in 2012-Bauform
Die Shunt-Widerstände der UCR10C-Serie von Rohm in der Baugröße 2012 sind für hohe Nennleistungen von 1,0 W und 1,25 W spezifiziert und decken den Bereich von 10 mΩ bis 100 mΩ ab.
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Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics
ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.
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Rohm: EROM models for additional shunt resistors for thermal simulation
Rohm provides embeddable BCI ROM models of shunt resistors for rapid thermal simulation on its website.
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Rohm: EROM-Modelle für weitere Shunt-Widerstände zur Thermosimulation
Rohm stellt auf seiner Webseite Embeddable BCI-ROM-Modelle von Shunt-Widerständen für die schnelle thermische Simulation bereit.
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Rohm: Schottky-Barrier-Diode zum Schutz von Bildsensoren
Die SBD RBE01VYM6AFH überwindet Kompromiss von VF und IR und bietet so einen hochzuverlässigen Schutz von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren wie ADAS-Kameras.