Branchen-News
Rohm: Fertigungsvereinbarung mit Tata Electronics
ROHM und Tata Electronics bauen in Indien Leistungshalbleiterproduktion auf. Als Erstes wird damit ein Automotive-Silizium-MOSFET für Indien hergestellt.
Rohm
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Rohm: EROM models for additional shunt resistors for thermal simulation
Rohm provides embeddable BCI ROM models of shunt resistors for rapid thermal simulation on its website.
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Rohm: EROM-Modelle für weitere Shunt-Widerstände zur Thermosimulation
Rohm stellt auf seiner Webseite Embeddable BCI-ROM-Modelle von Shunt-Widerständen für die schnelle thermische Simulation bereit.
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Rohm: Schottky-Barrier-Diode zum Schutz von Bildsensoren
Die SBD RBE01VYM6AFH überwindet Kompromiss von VF und IR und bietet so einen hochzuverlässigen Schutz von Anwendungen mit hochauflösenden Bildsensoren wie ADAS-Kameras.
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Rohm: Intelligente Schalter für Zonensteuerungen
Intelligente High-Side-Schalter der Serie BV1HBxxxEFJ von Rohm schützen empfindliche Lasten vor Überstrom, Überspannung und Übertemperatur.
Branchen-News
Infineon und ROHM kooperieren bei Gehäusen für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon und ROHM planen wechselseitig als zweite Bezugsquelle für Anwendern von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu agieren.
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Rohm: Neue SPICE-Level-3-Modelle für SiC-MOSFETs
Neue Level-3-SPICE-Modelle ermöglichen rund 50% kürzere Simulationszeit und präzisere Transientenanalysen.
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Rohm: Präzise Strommessverstärker für Hoch- und Niederspannungsanwendungen
Die Strommessverstärker unterstützen Eingangsspannungen bis +80 V, verfügen über eine Chopper-basierte Verstärkerarchitektur und ermöglichen eine einfache Stromerfassung über einen externen Shunt-Widerstand.
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Rohm: 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse
Die 4-in-1- und 6-in-1-SiC-Module im HSDIP20-Gehäuse hat Rohm für den Einsatz in PFC- und LLC-Wandlern in Onboard-Ladegeräten (OBC) optimiert.
Branchen-News
Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten auf GaN-Basis
Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten für eine Markteinführung 2027 unter Verwendung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern