News
Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
power electronics
News
STMicroelectronics: High-Side-Treiber mit präziser Laststrommessung
Die Mess- und Schutzfunktionen des Bauteils bewältigen außergewöhnliche Spannungen und Temperaturen. Das Bauteil verfügt u. a. über eine Überspannungsklemme, thermische Transientenbegrenzung und eine konfigurierbare Sperrfunktion.
News
Volkswagen Group setzt bei E-Antrieben auf eigenen Pulswechselrichter
Die Volkswagen Group bringt mit einem selbst entwickelten Pulswechselrichter eine zentrale Komponente des E-Antriebs in die Serie. Die Leistungselektronik kommt im Antriebssystem APP290 der Electric Urban Car Family zum Einsatz.
News
MPS: High-Side-Leistungsschalter mit integrierter E-Fuse
Der MPQ5884-AEC1 kombiniert eine automotive-taugliche E-Sicherung mit geringem Durchgangswiderstand sowie einen High-Side-Leistungsschalter mit einem Modus für niedrigen Ruhestrom.
News
Toshiba stellt Gate-Treiber-IC mit SPI-Ansteuerung vor
Der neue Gate-Treiber-IC ermöglicht die SPI-basierte Ansteuerung leistungsstarker DC-Bürstenmotoren und vereinfacht durch integrierte PWM-Funktionen und Diagnosefeatures die Systemarchitektur.
News
Rohm: LDO-Regler mit 500 mA Ausgangsstrom
Proprietäre Regelungstechnik ermöglicht bei den LDO-Reglern der BD9xxN5-Serie den Einsatz kleinerer Ausgangskondensatoren.
Branchen-News
Vicor: Hochleistungsmodule ermöglichen energieschonendes Enteisen von Scheiben
Kompakte Hochleistungsmodule von Vicor ermöglichen Enteisen in 60 Sekunden mit 20-mal weniger Energieaufwand als herkömmliche Enteisungsmethoden.
News
Toshiba: Gate-Treiber-IC für dreiphasige BLDC-Motoren
Der Baustein bietet flexibles Systemdesign, robusten Betrieb und unterstützt Single-Shunt-Systeme.
News
CISSOID: 750-V-Hochstrom-IGBT-Modul
Dreiphasiges 750V/820A IGBT Power Module im CPAK-HPC-Gehäuse
News
ST: Achtkanal-Gatetreiber für 48-V-Bordnetze
Der Gate-Treiber L98GD8 von STMicroelectronics verfügt über acht vollständig konfigurierbare Kanäle zum Ansteuern von MOSFETs in High-Side- und Low-Side-Konfigurationen.