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Toshiba: MOSFETs im DFN-Gehäuse mit benetzbaren Flanken
Neues DFN2020B(WF)-Gehäuse verbessert Zuverlässigkeit, Miniaturisierung und AOI bei Automobilanwendungen der nächsten Generation.
MOSFETs
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Rohm: 40-V-und 60-V-MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse
MOSFETs im HPLF5060-Gehäuse kombinieren vergleichsweise geringe Grundfläche mit zuverlässiger Montage.
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Infineon: 150-V-MOSFETs im TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäuse
Infineon erweitert sein OptiMOS-6-Portfolio um 150-V-MOSFETs in den Gehäusevarianten TOLL, TOLG und TOLT.
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
Branchen-News
onsemi: Traktionswechselrichter von Schaeffler mit SiC-MOSFETs
Schaeffler nutzt bei Traktionswechselrichter für Plug-in-Hybrid-Elektrofahrzeuge EliteSiC-Produkte von onsemi für mehr Reichweite und mehr Zuverlässigkeit.
Fachberichte & White Paper
White Paper: Die Automotive-SiC-Technologie von Bosch
Auf 21 Seiten stellt Bosch unter dem Titel „Einblicke in die Siliziumkarbid (SiC) Halbleitertechnologie von Bosch“ seine SiC-Leistungshalbleitertechnologie für Automotive-Anwendungen vor.
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
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Infineon: Effizienter Kabelschutz und smarte Stromversorgung
Diese Produktfamilie kann das Lastverhalten von Kabeln mit einer integrierten und präzisen I²t-Kurve wesentlich genauer abbilden als herkömmliche Schmelz-Sicherungen.
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ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.