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Infineon: 150-V-MOSFETs im TOLL-, TOLG- und TOLT-Gehäuse
Infineon erweitert sein OptiMOS-6-Portfolio um 150-V-MOSFETs in den Gehäusevarianten TOLL, TOLG und TOLT.
Leistungsschalter IC
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
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Diodes: 80-V-Ideal-Diode-Controller
80-V-Ideal-Diode-Controller mit niedrigem IQ von Diodes vereinfachen den Schutz vor Verpolung und Überspannung in modernen Fahrzeuganwendungen.
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Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
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ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
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Rohm: Neue n-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs zeichnen sich durch einen niedrigen Einschaltwiderstand aus und eignen sich u. a. für Stellmotoren für Türen und Sitzpositionierung sowie LED-Scheinwerfer.
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Nexperia: Kleinsignal-MOSFETs im DFN-Gehäuse
Die Single- und Dual-Kleinsignal-MOSFETs von Nexperia sind in den Gehäusen DFN1110D-3 und DFN1412-6 erhältlich.
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ST: Leitungsschutzschalter mit Diagnosefunktion
Von STMicroelectronics kommen High-Side-Leistungsschalter, die Sicherungs-Funktionalität mit einer SPI-Schnittstelle für Diagnosedaten kombinieren.
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ST: Superjunction-MOSFET-Serie mit neuer Technik
Die für 600 V bzw. 650 V ausgelegten Superjunction-MOSFETs zeichnen sich durch ihre hohe Effizienz und Robustheit aus.
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Toshiba: Zwei neue -60V-p-Kanal-MOSFETs
Die MOSFETs XPH8R316MC und XPH13016MC sind für einen Drainstrom von -90 A bzw. -60 A ausgelegt.