Branchen-News
Infineon: 300-Millimeter-GaN-Wafer
Infineon nutzt bestehende 300-mm-Silizium-Hochvolumenfertigung für GaN-Produktion und maximiert so die Effizienz des Kapitaleinsatzes. […]
Galliumnitrid (GaN)
Fachbücher
Fachbuch: GaN Technology
Dieses Buch erklärt die praktischen Anwendungen und theoretischen Grundlagen des Schaltungsentwurfs mit Galliumnitrid (GaN)-Bauelementen. […]
Technologie-Radar
GaN-Halbleiter für Betriebsumgebungen jenseits von 300 °C
Forschende haben festgestellt, dass Galliumnitridtransistoren in Hochtemperaturanwendungen mit Temperaturen von 500 °C standhalten können. […]
News
ADI: Treiber für GaN-FETs
100-V-GaN-Halbbrückentreiber mit integriertem intelligenten Bootstrap-Schalter […]
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter. […]
News
Rohm: Schneller Gate-Treiber für GaN-Bauelemente
Gate-Ansteuerung im Nanosekundenbereich ermöglicht weitere Energieeinsparungen und Miniaturisierung in LiDAR-Anwendungen. […]
Technologie-Radar
Infineon startet EU-Projekte für Leistungselektronik und KI
Forschungsprojekte sollen helfen, das Potenzial von GaN- Leistungshalbleitern und KI-Technologien freizusetzen. […]
News
VisIC: GaN-basierter 3-Phasen-Traktionsumrichter besteht Motorprüfstandtest
Das israelische Fabless-IC-Design-Unternehmen hat sein 2,2mΩ-650V-Halbbrücken-Leistungsmodul erfolgreich in einer 3-Phasen-Konfiguration auf einem Prüfstand mit einem Permanentmagnet-Synchronmotor-Motor bei einem großen Automobilhersteller getestet. […]
Fachberichte & White Paper
Fachbeitrag: GaN ICs Wanted for Power, EV Markets
Der Fachbeitrag behandelt die Grundlagen und Vorteile von ICss auf GaN-Basis sowie die Hürden, die bis zur Kommerzialisierung zu bewältigen sind. […]