X-FAB hat AECQ100 Grade-0-konformes Embedded-Flash-IP für seinen 110-nm-Halbleiterprozessknoten (Hochspannungs-BCD-on-SOI-Plattform XT011) entwickelt. Es bietet eine Kapazität von 32 KByte in Kombination mit einem zusätzlichen 4-Kbit-EEPROM. Varianten mit 64 und 128 KByte Flash und größerem EEPROM sind ab 2025 geplant.
Dabei sind sowohl die Flash- als auch die EEPROM-Elemente in einem einzigen Makro untergebracht und teilen sich die notwendige Steuerschaltung. Dies bedeutet, dass eine viel einfachere Anordnung realisiert wird, die zu einer kleineren Gesamtgrundfläche für die kombinierten Elemente führt und nach Unternehmensangaben einen neuen Industriestandard für eine Grad-0, 175°C fähige, 32KBytes Speicherlösung setzt.
Das Flash kann Daten über den gesamten Temperaturbereich von -40°C bis 175°C lesen, während das EEPROM auch bis zu 175°C schreiben kann. Das EEPROM eignet sich für Anwendungen, bei denen häufiger geschrieben werden muss, was die Ausdauer und Flexibilität des Flash erhöht. Der EEPROM kann auch als Cache fungieren, in den Daten programmiert werden, wenn die Betriebsbedingungen für das Schreiben in den Flash nicht geeignet sind, und anschließend in den Flash geschrieben werden, wenn die Temperatur unter 125 °C fällt. Dank der Kombination aus überlegenen Robustheitseigenschaften, kontinuierlicher Datenspeicherintegrität und erheblicher Platzersparnis ist diese IP für die Anforderungen von Automobil-, Medizin- und Industrieanwendungen geeignet.
Die neue NVM-Combo-IP verfügt über einen 64-Bit-Bus mit 8-Bit-ECC für das Flash-Element und 14-Bit-ECC für das EEPROM-Element. Dies ermöglicht eine Null-PPM-Fehlerleistung in den eingesetzten Geräten, die sie integrieren. Dedizierte Schaltkreise für einfachen Speicherzugriff und DFT verkürzen die Testzeiten und reduzieren die damit verbundenen Kosten. X-FAB bietet optional BIST-Module und Testdienstleistungen. (jr)
