Die TVS-Dioden der Serie D3V3Z1BD2CSP von Diodes (Vertrieb Rutronik) eignen sich mit ihrer niedrigen Kapazität (0,3 pF) und Klemmenspannung (5 V bzw. 5,3 V) speziell zum Schutz von Hochgeschwindigkeits-Differenzialleitungen. Sie können aufgrund ihrer hohen Impulsspitzenstromfähigkeit (10,5 A, tP = 8 / 20 µs) auch für den Schutz vor elektrischer Überbelastung (EOS) verwendet werden. Das DSN-Gehäuse mit 0,60 mm x 0,30 mm x 0,30 mm ermöglicht in Applikationen auch den flexiblen Schutz für eine einzelne Leitung. Zu möglichen Einsatzgebieten gehören Automobilanwendungen, die eine spezifische Änderungskontrolle erfordern; d. h. Teile, die nach AEC-Q100/101/104/200 qualifiziert und PPAP-fähig sind sowie in IATF 16949-zertifizierten Einrichtungen hergestellt werden.
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Diodes: Buckwandler für 48-V-PoL-Anwendungen
Vier asynchrone Automotive-Abwärtswandler im SO-8EP-Gehäuse für 48-V-Low-Voltage- und PoL- Anwendungen mit 3,5 A kontinuierlichem Ausgangsstrom.
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Rutronik: 1200-V-SiC-MOSFET von Bosch
Der N-Kanal-Einzelschalter auf Siliziumkarbid-Basis BT2M12006R0TPA von Bosch hat eine Sperrspannung von 1.200 V und einen RDS (on) von 6,7 mOhm.
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Diodes: Hochspannungs-Hall-Effekt-Schalter
Die Magnetschalter können in einem breiten Spektrum von berührungslosen Positions- und Näherungserkennungsanwendungen eingesetzt werden.