QPT erhält Zuschuss zur Entwicklung eines Hochfrequenz-GaN-Wechselrichters

QPT erhält einen Zuschuss für das Projekt VERDE. Im dessen Rahmen wird das Unternehmen in Zusammenarbeit mit RAM Innovations einen 400V/60kW-GaN-Hochfrequenzwechselrichter entwickeln. Mit dem Demonstrator soll gezeigt werden, dass GaN inzwischen SiC oder Silizium überlegen ist. Das Projekt wird vom Advanced Propulsion Centre (APC) des Vereinigten Königreichs finanziert.

Der Demonstrator zeichnet sich durch eine Schaltfrequenz von bis zu 1 MHz aus, die drastische Reduzierung der Verluste, des Gewichts und der Energiekosten eines Antriebssystems ermöglicht. Der Schlüssel dazu ist der reine Sinuswellenausgang von QPT, der Welligkeit, Rauschen und Vibrationen reduziert.

Rupert Baines, CEO von QPT, erklärte: „Unsere Systemtechnologie ermöglicht den Einsatz von GaN für Hochleistungsanwendungen und überwindet die thermischen und EMI-Probleme, die in der Vergangenheit den Einsatz von GaN in der Automobilindustrie verhindert haben. Wir sind bereits im Gespräch mit Automobilherstellern, die mit uns zusammenarbeiten möchten, um den Markt, der sich derzeit auf SiC konzentriert, zu überspringen und GaN-basierte Wechselrichter zu realisieren.“ Die Verringerung der Verluste im Wechselrichter und im Motor erhöht nicht nur die Reichweite (bzw. verringert die Anzahl der Batterien bei gleicher Reichweite), sondern vereinfacht auch das Kühlsystem, wodurch das Gewicht weiter reduziert wird. Dies ist ein wichtiger Wendepunkt für die Elektroautoindustrie.

Der Demonstrator soll bereits auf der Cenex Expo in UTAC Millbrook, Großbritannien, im September 2025 gezeigt werden. (jr)

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