Wolfspeed hat die Verfügbarkeit eines neuen 200-mm-n-Typ-Siliziumkarbid-Substrats bekanntgegeben. Mit dem „Premium“-Substrat erweitert das Unternehmen sein Portfolio an 200-mm-SiC-Materialien um ein hochwertigeres Ausgangsmaterial. Dieses soll durch weniger Defekte und eine höhere Formstabilität der Wafer die Ausbeute verbessern.
Da die SiC-Bauelementindustrie auf höhere Spannungen und größere Chipgrößen zusteuert, werden die Materialqualität und die Konsistenz der Wafer zu entscheidenden Unterscheidungsmerkmalen. Laut Wolfspeed bietet das Premium-200-mm-n-Typ-SiC-Substrat einen Qualitätssprung in mehreren Kennzahlen, darunter Defektdichte, Anzahl der Mikroröhren und Formstabilität der Wafer.
Demnach weist das Substrat weniger als 0,01 Mikroröhrchen pro Quadratzentimeter bzw. weniger als drei Mikroröhrchen pro Wafer auf. Dies wurde nach Herstellerangaben durch Röntgentopographie gemäß der branchenüblichen Methode bestätigt. Zudem weist es eine geringe Anzahl an schraubenförmigen Verzerrungen (Threaded Screw Dislocations, TSD) auf. In Kombination mit der bewährten Waferform und der Chargenkonstanz von Wolfspeed führt die höhere Qualität der Rohwafer zu einer besseren Epitaxie-Leistung. Diese wird vollständig im Rahmen der bestehenden Epitaxieprozesse der Kunden erzielt.
Die Verbesserungen erhöhen die Wahrscheinlichkeit eines erfolgreichen Designs beim ersten Versuch und reduzieren Verzögerungen bei der Qualifizierung in einer Zeit, in der die Fehlermarge immer geringer wird.
Entsprechende Wafer sind ab sofort bestellbar, da spezielle Produktionskapazitäten und ein klarer Plan zur Produkterweiterung vorliegen. (jr)
