News
Wolfspeed: Höhere Ausbeute bei 200-mm-Siliziumkarbidwafer
Neues Substratmaterial Premium sorgt in mehreren Bereichen für einen Qualitätssprung und führt bei Siliziumkarbid-Bauelementen zu einer höheren Ausbeute.
Wafer
Branchen-News
Infineon: 20µm-dicke Silizium-Power-Wafer
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen.
Branchen-News
Onsemi: Erweiterung der Siliziumkarbid-Produktionsanlage in Südkorea abgeschlossen
Bei voller Kapazität wird die Fabrik in Bucheon mehr als eine Million SiC-Wafer pro Jahr herstellen können.