Ein Forscherteam des MIT hat eine Methode entwickelt, die es Chipherstellern ermöglichen könnte, immer kleinere Transistoren aus 2D-Materialien herzustellen, indem sie diese auf bestehenden Wafern aus Silizium und anderen Materialien wachsen lassen. Bei der neuen Methode handelt es sich um eine Form des nicht-epitaktischen, einkristallinen Wachstums, mit der das Team zum ersten Mal reine, defektfreie 2D-Materialien auf industriellen Siliziumwafern wachsen ließ.
Mit dieser Methode stellte das Team einen einfachen funktionalen Transistor aus einer Art von 2D-Materialien her, die als Übergangsmetall-Dichalcogenide oder TMDs bezeichnet werden und dafür bekannt sind, dass sie Strom im Nanometerbereich besser leiten als Silizium. (jr)
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