Die Single-Line ESD-Schutzdiode VETH100A1DD1 im DFN1006-2B-Gehäuse ist weniger als 0,5 mm hoch und eignet sich besonders für Anwendungen mit begrenztem Platzangebot.
Selbstschützende Bauelemente für aktiven Lade- und Entladeschaltungen kombinieren R25-Werte bis 1 kΩ mit hohen Spannungen bis 1.200 VDC und einer Energieaufnahme bis 240 J.