Technologie-Radar
Forschenden gelingt Aufwachsen einkristalliner polarer Wurtzit-NbAlN-Dünnschichten auf GaN-Substraten
Verdreifachte Elektronendichte an der Grenzfläche in einer GaN-Heterostruktur eröffnet neue Möglichkeiten für die polarisationsbasierte Materialentwicklung.