Technologie-Radar
Aluminiumnitrid: Skalierung von 2-Zoll- auf 4-Zoll-Wafer
Ziel ist die Industrialisierung eines zukunftsweisenden Materials für leistungsstarke Halbleiter in Elektromobilität, Industrieelektronik und UV-Photonik.
Siltronic
Produkt-News
IKZ: BMBF fördert Projekt All-GO-HEMT zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen.