IKZ: BMBF fördert Projekt All-GO-HEMT zur Entwicklung hocheffizienter β-Galliumoxid-Heterostrukturen
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen. […]
Das mit knapp 2 Mio. geförderte Projekt soll die Grundlagen für die Nutzung des UWBB-Materials Ga2O3 in der Leistungselektronik schaffen. […]
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