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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Leistungselektronik
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.
Medienspiegel
Webinar: Power-Management-Lösungen von NXP für moderne Fahrzeugarchitekturen
How Power Management Enables the Software-Defined Vehicle Architecture
News
ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
News
Vitesco: Robustes Umspritz-Leistungsmodul
Die Umspritz-Leistungsmodule kombinieren SiC-Chiptechnologie mit Umspritzung und ermöglichen so ein robustes Produkt mit erhöhter Leistungsdichte und reduziertem Gewicht.
News
Yokogawa: Oszilloskop für die Messung von Leistungselektronik
Mit einer neuen Wandler Technologie und einem geringerem Grundrauschen überzeugt das Oszilloskop von Yokogawa bei der Signalanalyse.
Branchen-News
FEV und dSPACE kooperieren bei Power HIL-Prüfständen
FEV und dSPACE haben eine Technologiekooperation unterzeichnet, um Kunden maßgeschneiderte Power-HIL-Prüfstände anzubieten.
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Infineon: High-Side-Schalter im TO-Gehäuse für 12V-Netze
Die Serie umfasst zwei Varianten mit einem Einschaltwiderstand von 0,6 bzw. 1mΩ
News
ZF: Neue Antriebstechnik steigert Reichweite um ein Drittel
ZF stellt das elektrische Konzeptfahrzeug EVbeat vor, das auf höchste Kompaktheit, geringes Gewicht und maximale Effizienz im Realbetrieb ausgelegt ist.