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Infineon: Leistungsmodul nutzt Silizium-SiC-Kombination
Mit HybridPACK Drive G2 Fusion für Traktionsumrichter kombiniert Infineon erstmals Silizium- und Siliziumkarbid-Technik in einem Modul.
Leistungselektronik
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Nexperia: Bipolare Leistungstransistoren im DFN-Gehäuse
Zehn neue Automotive-BJTs im DFN2020D-3-Gehäuse mit Kollektor-Emitter-Spannungen von 50 und 80 V.
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VisIC: GaN-Modul mit Leistungsdichte von über 500 Arms / 650 V
Kooperation mit Heraeus Electronics und PINK bei EV-Leistungsmodul auf D3GaN-Basis
Technologie-Radar
Neuer Halbleiter besser als SiC und GaN
Verglichen mit etablierten Silizium-Bauelementen bieten die AlN/GaN-HEMTs bis zu dreitausendmal weniger Leitungsverluste als mit Silizium.
Medienspiegel
Webinar: Power-Management-Lösungen von NXP für moderne Fahrzeugarchitekturen
How Power Management Enables the Software-Defined Vehicle Architecture
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ST: Linearregler mit erweitertem Eingangsspannungsbereich
Die LDOs LDH40 und LDQ40 sind für Betriebsspannungen von 3,3 bis 40 V ausgelegt.
Branchen-News
Renesas übernimmt GaN-Spezialist Transphorm
Mit der Übernahme erweitert Renesas sein Portfolio um Galliumnitrid-Leistungshalbleiter.
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Vitesco: Robustes Umspritz-Leistungsmodul
Die Umspritz-Leistungsmodule kombinieren SiC-Chiptechnologie mit Umspritzung und ermöglichen so ein robustes Produkt mit erhöhter Leistungsdichte und reduziertem Gewicht.
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Yokogawa: Oszilloskop für die Messung von Leistungselektronik
Mit einer neuen Wandler Technologie und einem geringerem Grundrauschen überzeugt das Oszilloskop von Yokogawa bei der Signalanalyse.
Branchen-News
FEV und dSPACE kooperieren bei Power HIL-Prüfständen
FEV und dSPACE haben eine Technologiekooperation unterzeichnet, um Kunden maßgeschneiderte Power-HIL-Prüfstände anzubieten.