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Bosch will SiC-Fab in USA bauen
Die vorgeschlagenen Mittel aus dem CHIPS and Science Act würden die Umstellung der Anlage in Roseville, Kalifornien, auf die Herstellung von Siliziumkarbid-Halbleitern unterstützen. […]
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Nexperia: 184 Mio. € für Standort Hamburg
Ausbau der F&E- und Produktionskapazitäten für Wide-Bandgap-Halbleiter. […]
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Vishay: Serienstart für 300mm-Wafer-Fabrik kommt später als geplant
Inbetriebnahme der neuen 300mm-Fab in Itzehoe jetzt für das Frühjahr 2027 geplant. […]
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NXP: Joint Venture mit VIS für den Bau einer 300mm-Fab
Neue Fab produziert 130nm- bis 40nm-Mixed-Signal-, Power-Management- und Analogprodukte für den Automobil-, Industrie-, Verbraucher- und Mobilmarkt. […]
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ST: Bau einer voll integrierten Siliziumkarbid-Fabrik in Italien
Die neue 200-mm-Siliziumkarbid-Fertigungsanlage für Leistungsbauelemente und -module sowie für Test- und Verpackungszwecke soll in Catania errichtet werden. […]
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Infineon: Weltweit größte 200-Millimeter-SiC Power Fab in Malaysia
Mit der Erweiterung der Fab will Infineon bis Ende des Jahrzehnts einen Marktanteil von 30 % des SiC-Marktes erreichen. […]
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lntel: moderner, umfangreicher – die Wafer-Fertigung in Magdeburg
Die Halbleiterfab wird voraussichtlich mit fortschrittlicheren Halbleitertechniken als ursprünglich geplant in die Produktion gehen und die erste Fabrik ihrer Art in Europa sein. […]
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Vishay: Zweite Fab am Standort Izenhohe
Vishay baut in Deuschland eine weitere Chipfabrik, in der 300mm-Wafer für die Automobilindustrie gefertigt werden sollen. […]