News
Nexperia: 1200-V-SiC-MOSFETs im D2PAK-7-Gehäuse
AEC-Q101-zertifizierte Siliziumkarbidbauelemente kombinieren hohe thermische Stabilität mit Oberflächenmontage.
3D stacked CMOS transistors
Technologie-Radar
Intel: Durchbruch bei der Transistor-Skalierung für zukünftige Prozessknoten
Auf der IEDM 2023 stellt verschiedene Weiterentwicklungen der Halbleitertechnologie vor, die die Gültigkeit des Mooreschen-Gesetzes für die nächsten Jahre garantieren sollen.