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News Ticker
  • [ 22. Juli 2026 ] Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse News
  • [ 22. Juli 2026 ] dSPACE: Simulationsmodelle für Zweiradentwicklung News
  • [ 22. Juli 2026 ] MathWorks integriert Lauterbach TRACE32 in Polyspace News
  • [ 21. Juli 2026 ] Siemens: Übernahme von Precision Innovations Branchen-News
  • [ 21. Juli 2026 ] Bosch: Neue Leitung des Geschäftsbereichs Power Semiconductors and Modules Branchen-News
  • [ 21. Juli 2026 ] NXP: AM-/FM-Radio, Audio-DSP und KI-gestützte Signalverarbeitung auf einem Chip News
  • [ 21. Juli 2026 ] Studie zu Preisen von Elektroautos Branchen-News
  • [ 20. Juli 2026 ] Lucid, Nuro und Uber starten 2027 mit Robotaxi-Service in Houston Branchen-News
  • [ 20. Juli 2026 ] Micron: Langfristige Lieferpartnerschaften für Automotive-Speicher Branchen-News
  • [ 20. Juli 2026 ] Viasat und BMW Group demonstrieren integrierte Satelliten-Sprachkommunikation Branchen-News
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Startseite2D ICs

2D ICs

Technologie-Radar

Halbleiterindustrie setzt auf ungeeignete 2D-Materialien

22. April 2026
Viele 2D-Materialien sind wegen zu schwacher Verbindung zwischen Isolierschicht und 2D-Material für den Aufbau fortschrittlicher Transistoren ungeeignet. TU Wien findet Lösung

[…]

Fachberichte & White Paper

Fachartikel: Effiziente ESD-Verifikation von 2,5/3D-Automotive-ICs

19. März 2025
Eine neue automatisierte ESD-Verifizierungsmethodik, die in Calibre 3DPERC (die2die) verfügbar ist, behandelt effektiv und genau die Herausforderungen in Bezug auf die ESD-Festigkeit von 2,5/3D-IC-Designs.

[…]

Medienspiegel

  • Interview: Agentische KI in der Entwicklung
    16. Juli 2026
  • Fachbeitrag: Softwarearchitektur für fehlertolerante Systeme am Beispiel X-by-Wire
    15. Juli 2026
  • Anwenderbericht: Eine HiL-Plattform für unterschiedliche Wechselrichter
    13. Juli 2026
  • Toyota: Virtuelles Testgelände für ADAS
    9. Juli 2026
  • Fachartikel: Erprobung von ADAS-Funktionen auf einem lenkbaren ViL-Gesamtfahrzeugprüfstand
    24. Juni 2026

News

Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse

22. Juli 2026
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. […]

Weitere News

  • Kein Bild
    Zusammenarbeit zur Förderung der Open-Source-Halbleitertechnologie
    22. Juli 2026
  • dSPACE: Simulationsmodelle für Zweiradentwicklung
    22. Juli 2026
  • Kein Bild
    MathWorks integriert Lauterbach TRACE32 in Polyspace
    22. Juli 2026
  • Siemens: Übernahme von Precision Innovations
    21. Juli 2026
  • Bosch: Neue Leitung des Geschäftsbereichs Power Semiconductors and Modules
    21. Juli 2026

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