Die Unternehmen haben die nächste Stufe ihrer Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-Substraten angekündigt. Die Qualifizierung der SiC-Substrat-Technologie von Soitec durch ST ist für die nächsten 18 Monate geplant. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Übernahme der SmartSiC-Technik von Soitec durch ST für die künftige Herstellung von 200-mm-Substraten. (jr)
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