ST: Power-Module auf SiC-MOSFET-Basis

SiC-MOSFET-basierte Power-Module im Acepack-Drive-Gehäuse © ST

Fünf neue Power-Module für 1.200V- und 750V-Anwendungen. Sie sind in dem eigens für Traktionsanwendungen optimierten Acepack Drive-Gehäuse untergebracht. Die 1.200-V-Module ADP280120W3, ADP360120W3 und ADP480120W3(-L) sind bereits in die Serienfertigung gegangen, während die Massenproduktion der 750-V-Module ADP46075W3 und ADP61075W3 bis März 2023 beginnen soll. Die zentralen Leistungshalbleiter sind STpower SiC-MOSFETs der dritten Generation, die ein niedriges „Figure of Merit“ (Produkt aus RDS(on) und Die-Fläche) mit einer sehr geringen Schaltenergie und hohen Leistungsfähigkeit in Synchrongleichrichter-Anwendungen verbindet. Hyundai setzt die neuen Module in seiner Elektrofahrzeugplattform E-GMP ein, die neben dem KIA EV6 auch in mehreren anderen Modellen Verwendung findet. (jr)

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