News
Microchip: SoC-FPGAs jetzt mit AEC-Q100-Qualifizierung
Die PolarFire-SoC-FPGAs von Microchip haben die AEC-Q100-Qualifizierung des Automotive Electronics Council erhalten.
Jahr: 2025
Branchen-News
TSMC: Richtfest für zweite Phase der 2-nm-Fab 22 in Taiwan
Die 2-nm-Prozesstechnologie von TSMC soll in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 am Fab-Standort in Taiwan in die Volumenproduktion gehen.
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Green Hills Software: Unterstützung für S32K5-Mikrocontroller von NXP
Gemeinsame Lösung ermöglicht den Einsatz in Multicore- und Multifunktions-Mikrocontroller mit modernstem RTOS, Hypervisor und fortschrittlichem Debugging.
Branchen-News
Mooser EMC Technik: TISAX-Label nach VDA-ISA-Standard umgesetzt
Die TISAX-Zertifizierung ermöglicht Mooser künftig den sicheren und standardisierten Austausch von Prüfdaten mit anderen zertifizierten Partnern.
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ZSE: GNSS-Navigationssensor für genaue Inertialmessungen
Der GNSS/INS Navigationssensor mit nativer RTK-Fähigkeit bietet eine ausgezeichnete Postitionsgenauigkeit und genaue Inertialmessungen.
Technologie-Radar
Phosphoren-Nanobänder zeigen magnetische und halbleitende Eigenschaften bei Raumtemperatur
Bänder aus Phosphor sind vielversprechende Kandidaten für zukünftige elektronische Anwendungen.
Branchen-News
RENK Group und NXP kooperieren für softwaredefinierte Antriebssysteme
Ziel ist die gemeinsame Entwicklung von Hardware- und Softwarelösungen, um Antriebssysteme intelligenter und flexibler zu gestalten.
Technologie-Radar
Neuartige Methode zur Modellierung periodisch zeitvariabler Systeme
Die neue Modellierungstechnik ermöglicht es den Ingenieuren, das Verhalten von LPTV-Systemen besser vorherzusagen und zu optimieren.
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ST: Low-Side-Strommessverstärker
Der Low-Side-Strommessverstärker TSC1801 von STMicroelectronics ist mit integrierten, angepassten Widerständen zum Einstellen der Verstärkung ausgestattet.
Branchen-News
Mazda und Rohm entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten auf GaN-Basis
Mazda und ROHM entwickeln gemeinsam Automobilkomponenten für eine Markteinführung 2027 unter Verwendung von Galliumnitrid-Leistungshalbleitern