Infineon: 20µm-dicke Silizium-Power-Wafer
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen. […]
Reduzierung der Wafer-Dicke sowie Halbierung des Substratwiderstands führen zu 15 % weniger Leistungsverluste in Power-Systemen. […]
Bei voller Kapazität wird die Fabrik in Bucheon mehr als eine Million SiC-Wafer pro Jahr herstellen können. […]
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