L-TOGL Archive - AEEmobility

News Ticker

[ 24. September 2024 ] Folgen Sie uns auf LinkedIn Produkt-Highlight
[ 22. November 2024 ] Whitepaper: Batteriealterung in der Praxis Medienspiegel
[ 22. November 2024 ] TU Graz: Neues Labor erforscht Halbleitermaterialien auf Basis von Hydosilanen Technologie-Radar
[ 22. November 2024 ] Studie: Effizienz-Klassifizierung für Elektroautos Technologie-Radar
[ 22. November 2024 ] Neue Open-Source-Partnerschaft für transparente KI Branchen-News
[ 22. November 2024 ] ETAS: Cybersecurity-Lösungen für den Schutz des SDV-Fahrzeugcomputers News
[ 21. November 2024 ] ACEA: Im Oktober Pkw-Zulassungen in der EU erstmals nach zwei Monaten mit Rückgängen wieder im Plus Branchen-News
[ 21. November 2024 ] Einfochips: Vertrieb von Infineon-Automotive-Software Branchen-News
[ 21. November 2024 ] Melexis: Stromsparender Hall-Effekt-Schalter News
[ 21. November 2024 ] Infineon: Effizienter Kabelschutz und smarte Stromversorgung News
[ 20. November 2024 ] MathWorks Automotive Conference 2024 online Veranstaltung

Toshiba: n-Kanal-MOSFETs mit verbesserter Wärmeableitung für höhere Ströme

31. Januar 2023

Die 40 V-n-Kanal-MOSFETs XPQR3004PB und der XPQ1R004PB nutzen das L-TOGL-Gehäuse mit großen Transistorumrissen und Gull-Wing-Anschlüssen. Wegen der bessere Wärmeableitung des Gehäuses können die Leistungshalbleiter höhere Ströme handhaben. […]