News
Rohm: 650-V-GaN-HEMT im kompakten TOLL-Gehäuse
Dieses kompakte Gehäuse bietet eine sehr gute Wärmeableitung, hohe Stromkapazität und eine optimierte Schaltleistung.
GaN-on-Silicon
Branchen-News
Rohm: Strategische Zusammenarbeit mit TSMC im Bereich Galliumnitrid-Halbleiter
Im Rahmen der Partnerschaft sollen GaN-Leistungshalbleiter für E-Fahrzeuge entwickelt und produziert werden.
Branchen-News
VisIC: Kooperation mit AVL für hocheffiziente GaN-Wechselrichter
Wechselrichter mit GaN-Komponenten erreicht auf Motorprüfstand bei 5 kHz einen Benchmark-Wirkungsgrad von 99,9 %.
Technologie-Radar
Intel: Durchbruch bei der Transistor-Skalierung für zukünftige Prozessknoten
Auf der IEDM 2023 stellt verschiedene Weiterentwicklungen der Halbleitertechnologie vor, die die Gültigkeit des Mooreschen-Gesetzes für die nächsten Jahre garantieren sollen.