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ST: 40-V-MOSFET mit verbesserter Trench-Gate-Technik
STripFET F8 MOSFET mit Standard-Schwellenspannung und hoher Störbeständigkeit.
complementary field effect transistors (CFET)
Technologie-Radar
Intel: Durchbruch bei der Transistor-Skalierung für zukünftige Prozessknoten
Auf der IEDM 2023 stellt verschiedene Weiterentwicklungen der Halbleitertechnologie vor, die die Gültigkeit des Mooreschen-Gesetzes für die nächsten Jahre garantieren sollen.