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  • [ 22. Juli 2026 ] Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse News
  • [ 22. Juli 2026 ] dSPACE: Simulationsmodelle für Zweiradentwicklung News
  • [ 22. Juli 2026 ] MathWorks integriert Lauterbach TRACE32 in Polyspace News
  • [ 21. Juli 2026 ] Siemens: Übernahme von Precision Innovations Branchen-News
  • [ 21. Juli 2026 ] Bosch: Neue Leitung des Geschäftsbereichs Power Semiconductors and Modules Branchen-News
  • [ 21. Juli 2026 ] NXP: AM-/FM-Radio, Audio-DSP und KI-gestützte Signalverarbeitung auf einem Chip News
  • [ 21. Juli 2026 ] Studie zu Preisen von Elektroautos Branchen-News
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  • [ 20. Juli 2026 ] Viasat und BMW Group demonstrieren integrierte Satelliten-Sprachkommunikation Branchen-News
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Bitsensing

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Branchen-News

Bitsensing: ADAS-Pilotprojekt mit Bussen in Korea

6. November 2025
Radargestützte Sicherheitsassistenten werden in 500 Bussen des südkoreanischen Transportunternehmens Korea Wide installiert.

[…]

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Branchen-News

Bitsensing: Kooperation mit NXP bei skalierbaren Radarsystemen geplant

20. Dezember 2024
Auf der SAF85xx-Familie basierende Radarsystemmuster werden bereits von Kunden evaluiert.

[…]

Medienspiegel

  • Interview: Agentische KI in der Entwicklung
    16. Juli 2026
  • Fachbeitrag: Softwarearchitektur für fehlertolerante Systeme am Beispiel X-by-Wire
    15. Juli 2026
  • Anwenderbericht: Eine HiL-Plattform für unterschiedliche Wechselrichter
    13. Juli 2026
  • Toyota: Virtuelles Testgelände für ADAS
    9. Juli 2026
  • Fachartikel: Erprobung von ADAS-Funktionen auf einem lenkbaren ViL-Gesamtfahrzeugprüfstand
    24. Juni 2026

News

Toshiba: 40-V-N-Kanal-MOSFETs im S-TOGL-Gehäuse

22. Juli 2026
Der AEC-Q101 qualifizierten XPJ1R504PB erreicht einen Einschaltwiderstand von maximal 1,54 mΩ bei einer Gate-Source-Spannung von 10 V. […]

Weitere News

  • dSPACE: Simulationsmodelle für Zweiradentwicklung
    22. Juli 2026
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    MathWorks integriert Lauterbach TRACE32 in Polyspace
    22. Juli 2026
  • Siemens: Übernahme von Precision Innovations
    21. Juli 2026
  • Bosch: Neue Leitung des Geschäftsbereichs Power Semiconductors and Modules
    21. Juli 2026
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    21. Juli 2026

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